Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

C> 9M / 600 PMC/k R25o

Fóliový kondenzátor IGBT Snubber

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
C> 9M / 600 PMC/k R25o ICEL
ks
ID Code:150978
Výrobce:ICEL
Cena s DPH : 235,950000 Kč
Cena bez DPH : 195,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:1 ks
Značení výrobce: PMC1604900KSP
Centrální sklad Zdice: 1 ks
Jednotka:: ks
Jmenovitá hodnota:: 9.0 µF
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 195,000000 Kč235,950000 Kč
6 + 175,500000 Kč212,355000 Kč
12 + 165,800000 Kč200,618000 Kč
30 + 156,000000 Kč188,760000 Kč
Fóliový kondenzátor IGBT Snubber

Základní informace:

Značení výrobcePMC1604900KSP 
Typ součástky:Film Power 
Konfigurace:IGBT SNUBBER  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Tvar:BOX 
Typ pouzdra:THT 
Materiál: Tělesopolypropylen 
Jmenovitá hodnota:9.0 µF 
Tolerance jmenovité hodnoty±10 % 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:89.1 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):60 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 600.0 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

UAC-IN.Nom (Nom.vstupní AC napětí)330 [V]
Iripple rms (100 kHz, Tmax)31500 [mA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)55 [V/µs]
ESR1.9 [mΩ]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)85 [°C]
RM - Rozteč vývodů25 [mm]
Počet PIN (vývodů)
L - Délka 33 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
H - Výška 45 [mm]
ESR: 1.9 [mΩ]

Potřebujete poradit ? C> 9M / 600 PMC/k R25o ICEL

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace