Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

BYT51M

1kV 1A/10ms/25°C 50A/10ms/25°C trr=4us , Rthja=45°C/W

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
BYT51M Vishay
BYT51M Vishay
ks
ID Code:133511
Výrobce:Vishay
Cena s DPH : 6,655 Kč
Cena bez DPH : 5,500 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:83 ks
Značení výrobce: BYT51M
Centrální sklad Zdice: 83 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 5,500 Kč6,655 Kč
25 + 5,200 Kč6,292 Kč
1kV 1A/10ms/25°C 50A/10ms/25°C trr=4us , Rthja=45°C/W

Základní informace:

Značení výrobceBYT51M 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:axial ø3.4 x 4.2 
Typ součástky:THT 
Konfigurace:1xDioda 
RoHSNe 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1000 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)[A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)[A]
UF (maximum forward voltage)1.1 [VDC]
IR (zpětný proud)[µA]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)4000 [ns]

Materiál, barva, provedení:

Materiál:Si-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-a (tepelný odpor)100 [°C/W]

Rozměry:

PIN-Rozměry vývodů (Ø)0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.37 [g]
Počet jednotek v balení:100 

Váš dotaz BYT51M

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace