Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

E= 4M7/100 GS 5x11p

4.7uF -40+85°C Rm=5mm 2000h/85°C pás ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
E= 4M7/100 GS 5x11p CAPXCON
E= 4M7/100 GS 5x11p CAPXCON
ks
ID Code:143513
Výrobce:CAPXCON
Cena s DPH : 0,338800 Kč
Cena bez DPH : 0,280000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:7916 ks
Značení výrobce: GS4R7M100C110T050
Centrální sklad Zdice: 7916 ks
Jednotka:: ks
Jmenovitá hodnota:: 4.7 µF
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 0,280000 Kč0,338800 Kč
25 + 0,260000 Kč0,314600 Kč
100 + 0,250000 Kč0,302500 Kč
200 + 0,230000 Kč0,278300 Kč
4.7uF -40+85°C Rm=5mm 2000h/85°C pás ,

Základní informace:

Značení výrobceGS4R7M100C110T050 
Vývody:Radial 
Typ součástky:Elyt THT 
Konfigurace:Standard  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Série:GS 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro [inch] :E= 5x11 
Materiál: IzolaceAl Oxide Al2O3 
Jmenovitá hodnota:4.7 µF 
Tolerance jmenovité hodnoty±20 % 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.55 [g]
Typ balení:AMMO 
Malé balení (počet jednotek):2000 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 100.0 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Iripple rms (120/100Hz)58 [mA]
Životnost2000h/ 85°C 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)85 [°C]
RM - Rozteč vývodů[mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější [mm]
H - Výška 11 [mm]
Rozměry vývodů0.50 [mm]
Lv - Délka vývodů15 [mm]

Potřebujete poradit ? E= 4M7/100 GS 5x11p CAPXCON

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace