IGBT 1200V
ID Code: | 158513 |
Výrobce: | Infineon Technologies |
Cena s DPH : | 2 580,930000 Kč |
Cena bez DPH : | 2 133,000000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | FF150R12ME3G |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 2 133,000000 Kč | 2 580,930000 Kč | ||
3 + | 2 100,000000 Kč | 2 541,000000 Kč | ||
5 + | 2 084,000000 Kč | 2 521,640000 Kč | ||
10 + | 2 067,000000 Kč | 2 501,070000 Kč |
Značení výrobce | FF150R12ME3G |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMiX-3p |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 450 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 150 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4600 [A2s] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 695 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 90 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 130 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1400 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 10500 [pF] |
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.18 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
L - Délka | 150 [mm] |
W - Šířka | 62 [mm] |
H - Výška | 21 [mm] |