Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

RGP30M

1kV 3A/Ta50°C 100A/10ms/25°C trr<500ns , Rtha<25°C/W

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
RGP30M Diotec
RGP30M Diotec
RGP30M Diotec
ks
ID Code:130387
Výrobce:Diotec
Cena s DPH : 4,114000 Kč
Cena bez DPH : 3,400000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:349 ks
Značení výrobce: RGP30M
Centrální sklad Zdice: 349 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
5 + 3,400000 Kč4,114000 Kč
25 + 1,900000 Kč2,299000 Kč
100 + 1,570000 Kč1,899700 Kč
500 + 1,360000 Kč1,645600 Kč
1kV 3A/Ta50°C 100A/10ms/25°C trr<500ns , Rtha<25°C/W

Základní informace:

Značení výrobceRGP30M 
Typ součástky:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Axial 
Konfigurace:single (1D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:THT 
Pouzdro [inch] :D-4.5x7.5 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1.1 [g]
Typ balení:AMMO 
Malé balení (počet jednotek):1700 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)[A]
Idc max (Tc/Ta=50÷59°C)[A]
UF (maximum forward voltage)1.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)10 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)50 [A2s]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)500 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:D=4.5x7.5 
Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.5 [mm]
L - Délka 7.5 [mm]
Rozměry vývodůd=1,20 [mm]
Lv - Délka vývodů27.5 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:RGP30M SEMIKRON 

Potřebujete poradit ? RGP30M Diotec

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace