Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DR855-250-20N

Rychlé diody 2000V 250A ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DR855-250-20N Polovodiče
DR855-250-20N Polovodiče
ks
ID Code:161896
Výrobce:Polovodiče
Cena s DPH : 10 346,710000 Kč
Cena bez DPH : 8 551,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:1 ks
Značení výrobce: DR855-250-20N
Centrální sklad Zdice: 1 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 8 551,000000 Kč10 346,710000 Kč
3 + 8 479,000000 Kč10 259,590000 Kč
6 + 8 408,000000 Kč10 173,680000 Kč
15 + 8 336,000000 Kč10 086,560000 Kč
2000V 250A ,

Základní informace:

Značení výrobceDR855-250-20N 
Typ součástky:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Screw 
Konfigurace:single (1D) BA  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:StudB 
Pouzdro [inch] :M20 D.SA1 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:505 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)250 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)250 [A]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)30000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)151250 [A2s]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)4500 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.12 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? DR855-250-20N Polovodiče

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace