Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DV827-800-50

5000V 1028A ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DV827-800-50 Polovodiče
DV827-800-50 Polovodiče
DV827-800-50 Polovodiče
ks
ID Code:162566
Výrobce:Polovodiče
Cena s DPH : 10 113,180000 Kč
Cena bez DPH : 8 358,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DV827-800-50
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 8 358,000000 Kč10 113,180000 Kč
3 + 8 243,000000 Kč9 974,030000 Kč
5 + 8 185,000000 Kč9 903,850000 Kč
10 + 8 127,000000 Kč9 833,670000 Kč
5000V 1028A ,

Základní informace:

Značení výrobceDV827-800-50 
Typ součástky:Diode Standard 
KategorieDiode Standard Disc 
Konfigurace:single (1D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:PUK 
Pouzdro [inch] :PUK 58/34x26 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:275 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1028 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1028 [A]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)30000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)1066000 [A2s]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)160 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.032 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

D - Ø vnější 58.5 [mm]
H - Výška 27 [mm]
Fmin:8000 [N]
Fmax:12000 [N]

Potřebujete poradit ? DV827-800-50 Polovodiče

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace