Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DSEP15-12CR

1200V 15A/Tc135°C trr15ns/600A/us/25°C , Rthjc=1.00K/W

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DSEP15-12CR Ixys
DSEP15-12CR Ixys
ks
ID Code:162934
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 154,880000 Kč
Cena bez DPH : 128,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DSEP15-12CR
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 128,000000 Kč154,880000 Kč
2 + 121,400000 Kč146,894000 Kč
5 + 115,000000 Kč139,150000 Kč
10 + 108,600000 Kč131,406000 Kč
1200V 15A/Tc135°C trr15ns/600A/us/25°C , Rthjc=1.00K/W

Základní informace:

Značení výrobceDSEP15-12CR 
Typ součástky:Diode Fast 
KategorieDiode Fast THT 
Konfigurace:single (1D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:THT 
Pouzdro [inch] :TO-247AD_2 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.09 [g]
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)15 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)15 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
UF (maximum forward voltage)4.04 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)100 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)150 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)15 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)[°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Počet PIN (vývodů)
Fmin:20 [N]
Fmax:120 [N]

Potřebujete poradit ? DSEP15-12CR Ixys

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace