Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

IXDN55N120D1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 450000mW 4-Pin SOT-227B

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IXDN55N120D1 Ixys
IXDN55N120D1 Ixys
IXDN55N120D1 Ixys
IXDN55N120D1 Ixys
ks
ID Code:163163
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 859,100000 Kč
Cena bez DPH : 710,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: IXDN55N120D1
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 710,000000 Kč859,100000 Kč
5 + 669,000000 Kč809,490000 Kč
10 + 588,000000 Kč711,480000 Kč
20 + 568,000000 Kč687,280000 Kč
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 450000mW 4-Pin SOT-227B

Základní informace:

Značení výrobceIXDN55N120D1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SOT-227 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)62 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.3 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)700 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)200 [ns]
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)70 [ns]
Qg (Total Gate Charge)600 [nC]
Cin (Input Capacitance)3300 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.28 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
D - Ø vnější 4.1 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
H - Výška 12 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:193839 - SG55N120DS (SRF) 

Související zboží - IXDN55N120D1

I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 I+case 25,4x 38,2_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Množství [ks]1+40+80+200+
CZK/ks19,50000018,80000017,50000016,200000
Celkem skladem: 7491
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? IXDN55N120D1 Ixys

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace