63CPQ100
Dioda Schottky Si THT diskrétní
Zboží již není skladem
| ID Code: | 138889 |
| Výrobce: | Vishay |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | 63CPQ100 |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
100V 2x30A/153°C Uf=0.64V/30A/25°C , spol.katoda
Základní informace:
| Značení výrobce | 63CPQ100 |
| Typ součástky: | Diode Schottky Silicon |
| Kategorie | Diode Schottky THT |
| Konfigurace: | com.cathode 2D ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ pouzdra: | THT |
| Pouzdro [inch] : | TO-247AC_3 |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 7.2 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 25 |
Elektro-fyzikální parametry:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 60 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=150÷159°C) | 60 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 0.92 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 300 [µA] |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 10000 [V/µs] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | TO-247 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.4 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| RM - Rozteč vývodů | 5.45 [mm] |
| Počet PIN (vývodů) | 3 |
| L - Délka | 20 [mm] |
| W - Šířka | 15.6 [mm] |
| H - Výška | 5 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,20x0,60 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 14.6 [mm] |