Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SKM200GAR12E4

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKM200GAR12E4 Semikron
SKM200GAR12E4 Semikron
ks
ID Code:171266
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 2 974,180 Kč
Cena bez DPH : 2 458,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:24 ks
Značení výrobce: SKM200GAR12E4
Centrální sklad Zdice: 24 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 2 458,000 Kč2 974,180 Kč
6 + 2 335,000 Kč2 825,350 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSKM200GAR12E4 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:SEMITRANS-3 
Konfigurace:High side  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)313 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)313 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)241 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
Input Logic Level (UGS level)10V 
tr (Turn-on / rise time)40 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)107 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.012 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1130 [nC]
Cin (Input Capacitance)12300 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Cu základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.14 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:319.5 [g]
Počet jednotek v balení:12 

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:MDI200-12A4 
Podobné výrobky 2:SKM200GAR123D 
Podobné výrobky 3:SKM300GAR123D 
Podobné výrobky 4:DF200R12KE3 

Váš dotaz SKM200GAR12E4

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace