Přihlásit se

Česká republika (čeština)

angličtina (english)

Německo (Deutsch)

Rakousko (Deutsch)

Švýcarsko (Deutsch)

Slovensko (slovenčina)

Maďarsko (magyar)

Rumunsko (Română)

Francie (français)

Itálie (italiano)

Polsko (polski)

Estonsko (eesti keel)

Rusko (pусский)

Španělsko (español)

Slovinsko (slovenščina)

Chorvatsko (hrvatski)

Bulharsko (български)

V košíku nemáte žádné položky

SEMiX603GB12E4lp

IGBT 1200V

Polovodiče - Tranzistory - IGBT - 1200÷1600 V

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

SEMiX603GB12E4lp Semikron

SEMiX603GB12E4lp Semikron

/home/www/semic.cz/www/semic.cz/!old/files/pdf_www/SEMiX603GB12E4l_SK.pdf

SEMiX603GB12E4l_SK.pdf

ID Code:	171882
Výrobce:	Semikron
Cena s DPH :	7 601,220 Kč
Cena bez DPH :	6 282,000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz
Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	SEMiX603GB12E4Ip
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů):	0 ks
Jednotka::	ks

množstevní slevy
Počet	Cena bez DPH	Cena s DPH
1 +	6 282,000 Kč	7 601,220 Kč
3 +	5 968,000 Kč	7 221,280 Kč

IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobce	SEMiX603GB12E4Ip
Typ pouzdra:	MOD
Pouzdro:	SEMIX-3p
Konfigurace:	Half Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	A

Elektrické parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	1100 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	1100 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	853 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	2500 [V]
U_F (maximum forward voltage)	2.08 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
U_{CE (sat)} (@25°C)	1.8 [V]
t_r (Turn-on / rise time)	85 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	145 [ns]
f_max max.frequency (max./typ.)	0.02 [MHz] ? f_max - definice pro součástky f_max= f_T (BJT-transition frequency) f_max= f_max (operation frequency)
Q_g (Total Gate Charge)	3450 [nC]
C_in (Input Capacitance)	37500 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Materiál: Těleso

Si-Silicon

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.025 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²

Rozměry:

Rozměry vývodů

0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	0.09 [g]
Počet jednotek v balení:	6

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:

FF600R12ME4_B11

Nahoru | Tisk stránky

Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie. Další informace