Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

PM200DSA060

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
PM200DSA060 Mitsubishi
PM200DSA060 Mitsubishi
PM200DSA060 Mitsubishi
ks
ID Code:142201
Výrobce:Mitsubishi
Cena s DPH : 96,800121 Kč
Cena bez DPH : 80,000100 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: PM200DSA060
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 80,000100 Kč96,800121 Kč
5 + 3 740,803300 Kč4 526,371993 Kč
10 + 3 507,003100 Kč4 243,473751 Kč
20 + 3 039,402600 Kč3 677,677146 Kč


Základní informace:

Značení výrobcePM200DSA060 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ pouzdra:THT 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSNe 
REACHNe 
NOVINKA

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:385 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)595 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)150 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-20 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.06 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:PM75DSA120 
Podobné výrobky 2:PM100DSA120 
Podobné výrobky 4:PM150DSA120 

Potřebujete poradit ? PM200DSA060 Mitsubishi

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace