Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

IXFR80N50Q3

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IXFR80N50Q3 Ixys
IXFR80N50Q3 Ixys
IXFR80N50Q3 Ixys
Zboží již není skladem
ID Code:172775
Výrobce:Ixys
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: IXFR80N50Q3
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH


Základní informace:

Značení výrobceIXFR80N50Q3 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro [inch] :SUPER-247 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:[g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):25 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 500 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)570 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)72 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
Qg (Total Gate Charge)200 [nC]
Cin (Input Capacitance)1260 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.22 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Počet PIN (vývodů)

Potřebujete poradit ? IXFR80N50Q3 Ixys

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace