Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

FS75R12KE3_B9

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
FS75R12KE3_B9 Infineon Technologies
ks
ID Code:172888
Výrobce:Infineon Technologies
Cena s DPH : 7 653,250000 Kč
Cena bez DPH : 6 325,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: FS75R12KE3_B9
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 6 325,000000 Kč7 653,250000 Kč
8 + 6 274,000000 Kč7 591,540000 Kč
16 + 6 224,000000 Kč7 531,040000 Kč
40 + 6 123,000000 Kč7 408,830000 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceFS75R12KE3_B9 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Bridge 3f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:6*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 6 ks
Typ pouzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:207.68 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)105 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)75 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)1200 [A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)350 [W]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)65 [ns]
Qg (Total Gate Charge)700 [nC]
Cin (Input Capacitance)5300 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.35 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? FS75R12KE3_B9 Infineon Technologies

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace