Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SKIIP26ACM12V17

MOSFET 1200V Full SiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKIIP26ACM12V17 Semikron
SKIIP26ACM12V17 Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:173641
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKiiP26ACM12V17
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
MOSFET 1200V Full SiC

Základní informace:

Značení výrobceSKiiP26ACM12V17 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Bridge 3f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:6*FET-BD+6*D 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :MiniSKiiP_2 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:55 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)62 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.4 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Input Logic Level (UGS level)15V 
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)90 [ns]
Qg (Total Gate Charge)378 [nC]
Cin (Input Capacitance)8620 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.6 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? SKIIP26ACM12V17 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace