Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SKM200GB12F4SiC2

IGBT 1200V Hybrid SiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKM200GB12F4SiC2 Semikron
SKM200GB12F4SiC2 Semikron
Zboží není skladem
ID Code:173633
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKM200GB12F4SiC2
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
IGBT 1200V Hybrid SiC

Základní informace:

Značení výrobceSKM200GB12F4SiC2 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:SEMITRANS-3 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)281 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)281 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)217 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.4 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.06 [V]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)5.6 [mΩ]
fmax max.frequency (max./typ.)0.03 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1130 [nC]
Cin (Input Capacitance)12300 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Cu základna 
Materiál: TělesoSiC Hybrid 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.14 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:325 [g]
Počet jednotek v balení:12 

Váš dotaz SKM200GB12F4SiC2

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace