Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MBR120VLSFT1G

Dioda Schottky Si SMD

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MBR120VLSFT1G ON Semiconductor (Farchild)
MBR120VLSFT1G ON Semiconductor (Farchild)
MBR120VLSFT1G ON Semiconductor (Farchild)
ks
ID Code:176061
Výrobce:ON Semiconductor (Farchild)
Cena s DPH : 4,840000 Kč
Cena bez DPH : 4,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MBR120VLSFT1G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
5 + 4,000000 Kč4,840000 Kč
25 + 3,500000 Kč4,235000 Kč
100 + 3,120000 Kč3,775200 Kč
600 + 2,690000 Kč3,254900 Kč
Schottky diode

Základní informace:

Značení výrobceMBR120VLSFT1G 
Vývody:SMD 
Typ součástky:Diode Schottky Silicon 
KategorieDiode Schottky SMD 
Konfigurace:com.cathode 2D  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ pouzdra:SMD 
Pouzdro [inch] :SOD-123 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.04 [g]
Typ balení:K18A 
Malé balení (počet jednotek):3000 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)[A]
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)[A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:1.60*2.70*1.35 
Tmin (minimální pracovní teplota)-65 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
RM - Rozteč vývodů3.8 [mm]
L - Délka 1.6 [mm]
W - Šířka 2.7 [mm]
H - Výška 1.35 [mm]
Rozměry vývodů0,61x0,15 [mm]
Lv - Délka vývodů0.25 [mm]

Potřebujete poradit ? MBR120VLSFT1G ON Semiconductor (Farchild)

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace