Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SK25DGDL12T4ETE2

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK25DGDL12T4ETE2 Semikron
SK25DGDL12T4ETE2 Semikron
SK25DGDL12T4ETE2 Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:177541
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK25DGDL12T4ETE2
Jednotka:: ks
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSK25DGDL12T4ETE2 
Typ součástky:IGBT-Trench/Fieldstop 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Bridge 3f IGBT+Chopper+Bridge D  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:6*(IGBT+D)+IGBT+D+Bridge 
Počet obvodů (v pouzdře) 7 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITOP-E2 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.06 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)29 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)23 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
Cin (Input Capacitance)1430 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.45 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 57 [mm]
W - Šířka 63 [mm]
H - Výška 17 [mm]

Potřebujete poradit ? SK25DGDL12T4ETE2 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace