FS75R12KT3
IGBT 1200V
Zboží již není skladem
| ID Code: | 178584 |
| Výrobce: | Infineon Technologies |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | FS75R12KT3 |
| Jednotka:: | ks |
IGBT 1200V
Základní informace:
| Značení výrobce | FS75R12KT3 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Bridge 3f ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 6*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 6 ks |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 198.275 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 8 |
Elektro-fyzikální parametry:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 105 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 75 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 1200 [A2s] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 350 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 65 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 700 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 5300 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.35 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |