Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

UGE1112AY4

8kV/3k=V 2.5A f55x23mm-M8, 4,2 A s chlazením v oleji

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
UGE1112AY4 Ixys
UGE1112AY4 Ixys
ks
ID Code:180733
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 2 498,650000 Kč
Cena bez DPH : 2 065,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: UGE1112AY4
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 2 065,000000 Kč2 498,650000 Kč
7 + 1 817,000000 Kč2 198,570000 Kč
18 + 1 652,000000 Kč1 998,920000 Kč
35 + 1 404,000000 Kč1 698,840000 Kč
8kV/3k=V 2.5A f55x23mm-M8, 4,2 A s chlazením v oleji

Základní informace:

Značení výrobceUGE1112AY4 
Typ součástky:Diode Standard 
KategorieDiode Standard Screw 
Konfigurace:single (1D) BK  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:StudB 
Pouzdro [inch] :D55x23/M8 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:150 [g]
Malé balení (počet jednotek):35 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)2.5 [A]
Idc max (Tc/Ta=50÷59°C)2.5 [A]
UF (maximum forward voltage)6.25 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)1000 [µA]
Pmax bez chladiče ( TA=25°C)2.5 [W]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:55x23 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
D - Ø vnější 55 [mm]
L - Délka 36 [mm]
H - Výška 23 [mm]
G1 závit:M 8.0 

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:- SI-A3000/1350-2.5 () 

Potřebujete poradit ? UGE1112AY4 Ixys

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace