Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DACMH200N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 125A Half Bridge

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DACMH200N1200 Daco Semiconductor
DACMH200N1200 Daco Semiconductor
DACMH200N1200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:180903
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 15 045,140000 Kč
Cena bez DPH : 12 434,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DACMH200N1200
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 12 434,000000 Kč15 045,140000 Kč
3 + 12 276,000000 Kč14 853,960000 Kč
5 + 12 118,000000 Kč14 662,780000 Kč
10 + 12 038,000000 Kč14 565,980000 Kč
Full SiC MOSFET 1200V / 125A Half Bridge

Základní informace:

Značení výrobceDACMH200N1200 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC Enhancement Mode MOSF 
Konstrukce:2*FET-BD 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :HB-9434 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:185 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)980 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)220 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)32 [ns]
Qg (Total Gate Charge)382 [nC]
Cin (Input Capacitance)7500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:94x34x30 
Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.13 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 94 [mm]
W - Šířka 34 [mm]
H - Výška 30 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:CAS120M12BM2 

Související zboží - DACMH200N1200

I+case 34x 94_F05-AL2 I+case 34x 94_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-2 a v rozměru 34x94mm
ID: 181711   Zn.výrobce: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2  
Množství [ks]1+50+200+500+
CZK/ks45,70000042,20000036,60000033,800000
Celkem skladem: 177
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? DACMH200N1200 Daco Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace