Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DACMH200N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 125A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DACMH200N1200 Daco Semiconductor
DACMH200N1200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:180903
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 10 989,220 Kč
Cena bez DPH : 9 082,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DACMH200N1200
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 9 082,000 Kč10 989,220 Kč
3 + 8 978,000 Kč10 863,380 Kč
Full SiC MOSFET 1200V / 125A

Základní informace:

Značení výrobceDACMH200N1200 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:SEMITRANS-2s 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)980 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)15 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)220 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)32 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)382 [nC]
Cin (Input Capacitance)7500 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Cu+AlշOӡ základna 
Materiál: TělesoSiC Full 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.13 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:200 [g]
Počet jednotek v balení:12 

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:CAS120M12BM2 

Váš dotaz DACMH200N1200

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace