HUR830
300V Ultra Fast Recovery Epitaxial Diodes
| ID Code: | 180993 |
| Výrobce: | Sirectifier |
| Cena s DPH : | 14,883 Kč |
| Cena bez DPH : | 12,300 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | HUR830 |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH |
| 1 + | 12,300 Kč | 14,883 Kč |
| 10 + | 11,900 Kč | 14,399 Kč |
300V Ultra Fast Recovery Epitaxial Diodes
Základní informace:
| Značení výrobce | HUR830 |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | TO-220AC |
| Kategorie | Diode Fast THT |
| Typ součástky: | Diode fast |
| Konfigurace: | 1xDioda ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
Elektrické parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 300 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 10 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 10 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.75 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 60 [µA] |
| Ifsm | 60 A |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 60 [W] |
| trr typ. doba zotavení (If=1A,@25°C) | 30 [ns] |
Materiál, barva, provedení:
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 2.5 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
Rozměry:
| Mezera (podle čísla výrobku) | 999.99 [mm] |
| Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 0.09 [g] |
| Počet jednotek v balení: | 50 |
Copyright © www.semic.cz,
provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz