Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SKM1400GB12P4

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKM1400GB12P4 Semikron
SKM1400GB12P4 Semikron
ks
ID Code:181735
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 25 442,670 Kč
Cena bez DPH : 21 027,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKM1400GB12P4
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 21 027,000 Kč25 442,670 Kč
5 + 19 975,000 Kč24 169,750 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSKM1400GB12P4 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:PrimePACK3 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)2165 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)2165 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)1453 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.06 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.75 [V]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)119 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)171 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.003 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)7500 [nC]
Cin (Input Capacitance)81600 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Cu základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.02 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.033 [°C/W]
Rthcs pouzdro-chladič0.0022 [°C/W]

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1250 [g]
Počet jednotek v balení:

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:FF1400R12IP4 

Váš dotaz SKM1400GB12P4

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace