High Speed IGBT4 Modules 1200V
ID Code: | 181827 |
Výrobce: | Semikron |
Cena s DPH : | 1 900,910000 Kč |
Cena bez DPH : | 1 571,000000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | Objednáno |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | SKM100GB12F4 |
Očekávané: | 44; ??.??.???? |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 1 571,000000 Kč | 1 900,910000 Kč | ||
16 + | 1 374,000000 Kč | 1 662,540000 Kč | ||
48 + | 1 145,000000 Kč | 1 385,450000 Kč | ||
192 + | 985,000000 Kč | 1 191,850000 Kč |
Značení výrobce | SKM100GB12F4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMITRANS-2 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 167.7 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 64 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 142 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 109 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.67 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 2.38 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 567 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 6200 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.27 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
L - Délka | 94 [mm] |
W - Šířka | 34 [mm] |
H - Výška | 30 [mm] |
Alternativa 1: | 182983 - DAGNH1001200 (DAC) |
Podobné výrobky 1: | FF100R12RT4 |
I+case 34x 94_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-2
a v rozměru 34x94mm ID: 181711 Zn.výrobce: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2
| Celkem skladem: 177 Výrobce: SEMIC EU |