Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SK200MB120TSCE2

MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK200MB120TSCE2 Semikron
SK200MB120TSCE2 Semikron
Zboží není skladem
ID Code:182130
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK200MB120TSCE2
Jednotka:: ks
MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample
Konstrukce s extrémně nízkou indukčností: LCE = 6nH, Press-Fit kontakty, Robustní montáž díky integraci montážní svorky, přenos tepla a el. izolace z přímo mědí kontaktované keramiky z oxidu hliníku (DBC), 1200 V CoolSiC MOSFET
UL dle souboru č. E 63 532, Integrovaný snímač teploty NTC

Základní informace:

Značení výrobceSK200MB120TSCE2 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:SEMITOP-E2 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)164 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)164 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)137 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (UGS level)5V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)7.5 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)24 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)10 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.08 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)372 [nC]
Cin (Input Capacitance)12000 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Bez základny 
Materiál: TělesoSiC Full 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.3 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:35 [g]
Počet jednotek v balení:12 

Váš dotaz SK200MB120TSCE2

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace