Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds
Základní informace:
Značení výrobce | IXBN75N170A |
Typ součástky: | Transistor Bipolar NPN |
Kategorie | Bipolar NPN |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SOT-227 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 36 [g] |
Typ balení: | TUBE |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 75 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 42 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 4.2 [VDC] ?Testovací podmínky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 4.95 [V] |
IDC-OUT (TC/TA=25°C) | 2 [A] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1000 [V/µs] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 150000 [ns] |
Teplotní a mechanické parametry:
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.2 [°C/W] ?Rth-c - definice pro různé součástky
Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro
Rth-c - folie plocha inch2 |
RM - Rozteč vývodů | 15 [mm] |
RM1 - Rozteč řad vývodů | 12.7 [mm] |
D - Ø vnější | 4.1 [mm] |
L - Délka | 38.1 [mm] |
W - Šířka | 25.3 [mm] |
H - Výška | 12 [mm] |