Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

IXBN75N170A

Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IXBN75N170A Ixys
IXBN75N170A Ixys
IXBN75N170A Ixys
ks
ID Code:182208
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 1 523,390000 Kč
Cena bez DPH : 1 259,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:12 ks
Značení výrobce: IXBN75N170A
Centrální sklad Zdice: 12 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 1 259,000000 Kč1 523,390000 Kč
3 + 1 240,000000 Kč1 500,400000 Kč
5 + 1 231,000000 Kč1 489,510000 Kč
10 + 1 221,000000 Kč1 477,410000 Kč
Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds

Základní informace:

Značení výrobceIXBN75N170A 
Typ součástky:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SOT-227 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)75 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)42 [A]
UF (maximum forward voltage)4.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)4.95 [V]
IDC-OUT (TC/TA=25°C)[A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1000 [V/µs]
tf/tq (Turn-off / fall time)150000 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.2 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
D - Ø vnější 4.1 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
H - Výška 12 [mm]

Potřebujete poradit ? IXBN75N170A Ixys

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace