Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

S1PDB50N18

1800V 50A/100°C ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
S1PDB50N18 Sirectifier
S1PDB50N18 Sirectifier
ks
ID Code:182766
Výrobce:Sirectifier
Cena s DPH : 250,470000 Kč
Cena bez DPH : 207,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: S1PDB50N18
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 207,000000 Kč250,470000 Kč
3 + 192,600000 Kč233,046000 Kč
5 + 177,700000 Kč215,017000 Kč
10 + 155,500000 Kč188,155000 Kč
1800V 50A/100°C ,

Základní informace:

Značení výrobceS1PDB50N18 
Vývody:Faston 6.3 
Typ součástky:Bridge 1f Uncontrolled Standard 
KategorieBridge Standard Si 
Konfigurace:Bridge 1f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.099 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)50 [A]
Idc max (Tc/Ta=50÷59°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.1 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)[µA]
I2t (TC/TA=25°C)1540 [A2s]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-45 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.025 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? S1PDB50N18 Sirectifier

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace