Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

TG650HF17H2-S300

IGBT 1700V / 650A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:182871
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 15 154,040 Kč
Cena bez DPH : 12 524,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: TG650HF17H2-S300
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 12 524,000 Kč15 154,040 Kč
5 + 11 928,000 Kč14 432,880 Kč
IGBT 1700V / 650A

Základní informace:

Značení výrobceTG650HF17H2-S300 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:PrimePACK2 
Typ součástky:No Info 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)650 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)650 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
I2t (TC/TA=25°C)64 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)4160 [W]
Input Logic Level (UGS level)15V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)240 [ns]
tr (Turn-on / rise time)170 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)360 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.01 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)7700 [nC]
Cin (Input Capacitance)83000 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Cu základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.054 [°C/W]

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:900 [g]
Počet jednotek v balení:10 

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:FF650R17IE4D 
Podobné výrobky 2:2MBI650VXA-17E 

Váš dotaz TG650HF17H2-S300

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace