Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DAGNH1001200

Fast IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DAGNH1001200 Daco Semiconductor
DAGNH1001200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:182983
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 2 024,330 Kč
Cena bez DPH : 1 673,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DAGNH1001200
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 673,000 Kč2 024,330 Kč
4 + 1 589,000 Kč1 922,690 Kč
High Speed IGBT 1200V pro aplikace nad 15kHz

Základní informace:

Značení výrobceDAGNH1001200 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:SEMITRANS-2 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)780 [W]
Input Logic Level (UGS level)15V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)220 [ns]
tr (Turn-on / rise time)60 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)30 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.03 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)19000 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Cu základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.18 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.5 [°C/W]

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:167.7 [g]
Počet jednotek v balení:64 

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:SKM100GB12F4 

Váš dotaz DAGNH1001200

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace