Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DACMI 80N1200

Single Full SiC MOSFET 1200V / 50A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DACMI 80N1200 Daco Semiconductor
DACMI 80N1200 Daco Semiconductor
Zboží již není skladem
ID Code:183083
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DACMI80N1200
Jednotka:: ks
Single Full SiC MOSFET 1200V / 50A

Základní informace:

Značení výrobceDACMI80N1200 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
KategorieFull SiC 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)80 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)80 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)6.5 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)460 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)34 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)100 [ns]
tr (Turn-on / rise time)29 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)30 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)196 [nC]
Cin (Input Capacitance)7500 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseCu+AL2O3 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.26 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:35 [g]
Počet jednotek v balení:12 

Související zboží - DACMI 80N1200

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+
CZK/ks18,00017,000
Celkem skladem: 1348
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz DACMI 80N1200

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace