High Speed IGBT 1200V pro aplikace nad 15kHz
Základní informace:
Značení výrobce | DAGNH 751200 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? |
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | HW-9434 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 167.7 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 64 |
Elektro-fyzikální parametry:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 150 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 75 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3600 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ?Testovací podmínky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.8 [V] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 350 [W] |
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 162 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 150 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 50 [ns] |
Cin (Input Capacitance) | 14000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.36 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.55 [°C/W] |
L - Délka | 94 [mm] |
W - Šířka | 34 [mm] |
H - Výška | 30 [mm] |
Alternativy a náhrady
Alternativa 1: | 181826 - SKM 75GB12F4 (SMK) |