MOSFET 200V / 180A Half Bridge
ID Code: | 183103 |
Výrobce: | Daco Semiconductor |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | DAMH220N200 |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Značení výrobce | DAMH220N200 |
Typ součástky: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfigurace: | Half Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Specifikace: | Enhancement Mode |
Konstrukce: | 2*FET-BD |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | HB-9434 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 185 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 12 |
UDS | 200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 180 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.85 [VDC] ? Testovací podmínky: |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 560 [W] |
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 7.8 [mΩ] |
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 300 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 44 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 48 [ns] |
f max | 40 [kHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 335 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 46600 [pF] |
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 94x34x30 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -50 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.2 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
L - Délka | 94 [mm] |
W - Šířka | 34 [mm] |
H - Výška | 30 [mm] |
I+case 34x 94_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-2
a v rozměru 34x94mm ID: 181711 Zn.výrobce: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2
| Celkem skladem: 177 Výrobce: SEMIC EU |