IGBT Module 4500V/1200A Single, AlSiC ,
Základní informace:
Značení výrobce | DIM1200ASM45-TF001 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | single-E3*(T+D) ? |
Konstrukce: | 3*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 3 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | MODUL-A |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 2010.2 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 2 |
Elektro-fyzikální parametry:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 10200 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.8 [VDC] ?Testovací podmínky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 3.5 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 460000 [A2s] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 12500 [W] |
Esw (125°C) | 3900 [mJ] |
tr (Turn-on / rise time) | 290 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 400 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 17000 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 150000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 190x140x48 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.008 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.016 [°C/W] |
L - Délka | 190 [mm] |
W - Šířka | 140 [mm] |
H - Výška | 48 [mm] |
Alternativy a náhrady
Podobné výrobky 1: | CM1000HC-66R |
Podobné výrobky 2: | 5SNA 1000N330300 |