Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

TG450HF12M1-S3A00

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
TG450HF12M1-S3A00 Dynex Semiconductor
TG450HF12M1-S3A00 Dynex Semiconductor
Zboží není skladem
ID Code:183412
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: TG450HF12M1-S3A00
Jednotka:: ks
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceTG450HF12M1-S3A00 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-3p 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)450 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)450 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.65 [V]
I2t (TC/TA=25°C)4.6 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)2800 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)260 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)4600 [nC]
Cin (Input Capacitance)62000 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Si-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.052 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.086 [°C/W]

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:345 [g]
Počet jednotek v balení:10 

Váš dotaz TG450HF12M1-S3A00

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace