Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM1000ASM65-UF000

IGBT Module 6500V/1000A Single, AlSiC ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM1000ASM65-UF000 Dynex Semiconductor
DIM1000ASM65-UF000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:182769
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 44 045,210 Kč
Cena bez DPH : 36 401,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM1000ASM65-UF000
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 36 401,000 Kč44 045,210 Kč
2 + 35 491,000 Kč42 944,110 Kč
IGBT Module 6500V/1000A Single, AlSiC ,

Základní informace:

Značení výrobceDIM1000ASM65-UF000 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - A 
Konfigurace:singl-E 3*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6500 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)3.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.6 [V]
I2t (TC/TA=25°C)470 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)13900 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)140 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)230 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)15000 [nC]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:AlSiC základna 
Materiál: TělesoSi-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.009 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.018 [°C/W]

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1700 [g]
Počet jednotek v balení:

Váš dotaz DIM1000ASM65-UF000

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace