Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM 800XSM33-F000

IGBT Module 3300V/800A Single, AlSiC ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM 800XSM33-F000 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM33-F000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:184124
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 28 524,540 Kč
Cena bez DPH : 23 574,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM800XSM33-F000
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 23 574,000 Kč28 524,540 Kč
2 + 22 984,000 Kč27 810,640 Kč
IGBT Module 3300V/800A Single, AlSiC ,

Základní informace:

Značení výrobceDIM800XSM33-F000 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - X 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:singl-E 2*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)800 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.9 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)10400 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)275 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)270 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)20000 [nC]
Cin (Input Capacitance)100000 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.012 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.024 [°C/W]

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1100 [g]
Počet jednotek v balení:

Váš dotaz DIM 800XSM33-F000

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace