Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SI7489DP

MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SI7489DP Vishay
SI7489DP Vishay
Zboží již není skladem
ID Code:184303
Výrobce:Vishay
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SI7489DP-T1-GE3
Jednotka:: ks
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Základní informace:

Značení výrobceSI7489DP-T1-GE3 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:SMD 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.77 [g]
Malé balení (počet jednotek):3000 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS -100 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)-24.9 [A]
Input Logic Level (UGS level)5V 
tr (Turn-on / rise time)160 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)100 [ns]
Qg (Total Gate Charge)160 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]

Potřebujete poradit ? SI7489DP Vishay

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace