Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

Hybrid SiC

Polovodiče - Tranzistory - IGBT - Hybrid SiC
Typ pouzdra:(5)
Pouzdro:(5)
Konfigurace:(5)?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Udc (URRM, UCEO, Umax)  [V] (5)?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) [A] (5)?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Výrobce: Řadit podle: Zobrazení:
DIM1200ESM33-MH00 DIM1200ESM33-MH00   Rychlé Si IGBT s rychlými SiC diodami - single IGBT Modul 3300V/1200A
ID: 185397   Zn.výrobce: DIM1200ESM33-MH00  
na dotaz
Výrobce: Dynex Semiconductor  
SEMiX603GB12E4SiCp SEMiX603GB12E4SiCp   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173637   Zn.výrobce: SEMiX603GB12E4SiCp  
na dotaz
Výrobce: Semikron  
SK50GH12T4T SK50GH12T4T   IGBT 1200V
ID: 177527   Zn.výrobce: SK50GH12T4T  
na dotaz
SKM200GB12F4SiC2 SKM200GB12F4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173633   Zn.výrobce: SKM200GB12F4SiC2  
na dotaz
Výrobce: Semikron  
SKM200GB12T4SiC2 SKM200GB12T4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173631   Zn.výrobce: SKM200GB12T4SiC2  
na dotaz
Výrobce: Semikron  
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace