Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DACMH 40N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DACMH 40N1200 Daco Semiconductor
DACMH 40N1200 Daco Semiconductor
DACMH 40N1200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:185428
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 4 786,7600 Kč
Cena bez DPH : 3 956,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DACMH40N1200
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 956,0000 Kč4 786,7600 Kč
3 + 3 906,0000 Kč4 726,2600 Kč
5 + 3 856,0000 Kč4 665,7600 Kč
10 + 3 830,0000 Kč4 634,3000 Kč
Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge

Základní informace:

Značení výrobceDACMH40N1200 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC Enhancement Mode MOSF 
Konstrukce:2*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseNo Info 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:HB-9434 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:185 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)40 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)40 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)208 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)80 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)24 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)[ns]
Qg (Total Gate Charge)129 [nC]
Cin (Input Capacitance)1800 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.26 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 34 [mm]
L - Délka 94 [mm]
H - Výška 30 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)94x34x30 [mm]

Související zboží - DACMH 40N1200

I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-2 a v rozměru 34x94mm
ID: 181711   Zn.výrobce: F05-AL2-34x94mm  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks31,750028,920026,950023,9500
Celkem skladem: 736
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? DACMH 40N1200 Daco Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace