Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DACMH120N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 76A Half Bridge

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DACMH120N1200 Daco Semiconductor
DACMH120N1200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:183087
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 10 304,360 Kč
Cena bez DPH : 8 516,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DACMH120N1200
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 8 516,000 Kč10 304,360 Kč
3 + 8 407,000 Kč10 172,470 Kč
5 + 8 299,000 Kč10 041,790 Kč
10 + 8 244,000 Kč9 975,240 Kč
Full SiC MOSFET 1200V / 76A Half Bridge

Základní informace:

Značení výrobceDACMH120N1200 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC Enhancement Mode MOSF 
Konstrukce:2*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITRANS-2s 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:200 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)120 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)120 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)76 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)500 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)25 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)135 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)32 [ns]
Qg (Total Gate Charge)170 [nC]
Cin (Input Capacitance)4500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.22 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 34 [mm]
L - Délka 94 [mm]
H - Výška 30 [mm]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:CAS120M12BM2 

Související zboží - DACMH120N1200

I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-2 a v rozměru 34x94mm
ID: 181711   Zn.výrobce: F05-AL2-34x94mm  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks30,00028,00026,00023,000
Celkem skladem: 2058
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? DACMH120N1200 Daco Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace