DACMH160N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 110A Half Bridge

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

DACMH160N1200_Da.pdf

ID Code:	183086
Výrobce:	Daco Semiconductor
Cena s DPH :	12 666,280 Kč
Cena bez DPH :	10 468,000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz
Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	DACMH160N1200
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů):	0 ks
Jednotka::	ks

množstevní slevy
Počet	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		10 468,000 Kč		12 666,280 Kč
3 +		10 335,000 Kč		12 505,350 Kč
5 +		10 201,000 Kč		12 343,210 Kč
10 +		10 135,000 Kč		12 263,350 Kč

Full SiC MOSFET 1200V / 110A Half Bridge

Základní informace:

Značení výrobce	DACMH160N1200
Kategorie	Full SiC (MOS-BD)
Typ součástky:	SiC MOSFET-BD
Konfigurace:	Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Konstrukce:	2*FET-BD
Typ materiálu:	SiC Full
Material Base	No Info
RoHS	Ano
REACH	Ne
Typ pouzdra:	MODUL
Pouzdro:	SEMITRANS-2s
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	200 [g]
Typ balení:	BOX
Malé balení (počet jednotek):	12

Elektro-fyzikální parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	160 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	160 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	110 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	3000 [V]
P_max s chladičem (T_C=25°C)	580 [W]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
R_{DS (on)} 10V (U_GS=10÷15V)	20 [mΩ]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	185 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	30 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	30 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	360 [nC]
C_in (Input Capacitance)	6000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-50 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.22 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
W - Šířka	34 [mm]
L - Délka	94 [mm]
H - Výška	30 [mm]
Rozměry vývodů	0.00 [mm]

Související zboží - DACMH160N1200

I+SEMITRANS2- 34x 94=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-2 a v rozměru 34x94mm
ID: 181711 Zn.výrobce: F05-AL2-34x94mm