- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- DACMI200N1200
DACMI200N1200
Single Full SiC MOSFET 1200V 200A 980W SOT-227
| ID Code: | 182142 |
| Výrobce: | Daco Semiconductor |
| Cena s DPH : | 7 701,6500 Kč |
| Cena bez DPH : | 6 365,0000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | DACMI200N1200 |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 6 365,0000 Kč | 7 701,6500 Kč | ||
| 2 + | 6 038,0000 Kč | 7 305,9800 Kč | ||
| 4 + | 5 712,0000 Kč | 6 911,5200 Kč | ||
| 7 + | 5 549,0000 Kč | 6 714,2900 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | DACMI200N1200 |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
| Konfigurace: | single 1*(T-BD) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC Enhancement Mode MOSF |
| Konstrukce: | 1*FET-BD |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SOT-227 |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 36 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 13 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 200 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 125 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 6.5 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 980 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 15 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 28 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 95 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 503 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 8784 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -50 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.13 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.13 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 15 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 12.7 [mm] |
| Počet PIN (vývodů) | 4 |
| D - Ø vnější | 4.1 [mm] |
| W - Šířka | 25.3 [mm] |
| L - Délka | 38.1 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |
Související zboží - DACMI200N1200
 |
I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm ID: 181709 Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni
| Objednáno Výrobce: SEMIC EU |
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.