Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DACMI200N1200

Single Full SiC MOSFET 1200V 200A 980W SOT-227

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DACMI200N1200 Daco Semiconductor
DACMI200N1200 Daco Semiconductor
DACMI200N1200 Daco Semiconductor
ks
ID Code:182142
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 7 701,650 Kč
Cena bez DPH : 6 365,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DACMI200N1200
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 6 365,000 Kč7 701,650 Kč
2 + 6 038,000 Kč7 305,980 Kč
4 + 5 712,000 Kč6 911,520 Kč
7 + 5 549,000 Kč6 714,290 Kč


Základní informace:

Značení výrobceDACMI200N1200 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD 
Konfigurace:single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC Enhancement Mode MOSF 
Konstrukce:1*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:33 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):13 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)6.5 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)980 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)15 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)28 [ns]
tr (Turn-on / rise time)95 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)503 [nC]
Cin (Input Capacitance)8784 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.13 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.13 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Související zboží - DACMI200N1200

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,00017,00016,00014,000
Celkem skladem: 3252
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? DACMI200N1200 Daco Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace