DAMI660N60

N-channel MOSFET 60V 500A SOT-227

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

DAMI660N60_DAC.pdf

ID Code:	189831
Výrobce:	Daco Semiconductor
Cena s DPH :	1 545,1700 Kč
Cena bez DPH :	1 277,0000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	Skladem

Celkem skladem:	38 ks
Značení výrobce:	DAMI660N60
Centrální sklad Zdice:	38 ks
Jednotka::	ks

Přehled množstevních slev
Počet (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		1 277,0000 Kč		1 545,1700 Kč
4 +		1 213,0000 Kč		1 467,7300 Kč
7 +		1 117,0000 Kč		1 351,5700 Kč
13 +		1 085,0000 Kč		1 312,8500 Kč

Základní informace:

Značení výrobce	DAMI660N60
Typ součástky:	FET Tranzistor
Kategorie	FET N-Channel
Konfigurace:	Single 1*(T-BD) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Specifikace:	Enhancement Mode
Konstrukce:	1*FET-BD
Počet obvodů (v pouzdře)	1 ks
Typ materiálu:	Si-Silicon
RoHS	Ano
REACH	Ne
Typ pouzdra:	MODUL
Pouzdro:	SOT-227
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	36 [g]
Typ balení:	TUBE
Malé balení (počet jednotek):	13

Elektro-fyzikální parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	60 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	660 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	660 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	500 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	2500 [V]
U_F (maximum forward voltage)	0.95 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
P_max s chladičem (T_C=25°C)	1500 [W]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
R_{DS (on)} 10V (U_GS=10÷15V)	1 [mΩ]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	530 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	330 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	420 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	980 [nC]
C_in (Input Capacitance)	67600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-50 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.08 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
RM - Rozteč vývodů	15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů	12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)	4
D - Ø vnější	4.1 [mm]
W - Šířka	25.3 [mm]
L - Délka	38.1 [mm]
H - Výška	12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)	SOT-227 [mm]

Související zboží - DAMI660N60

I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709 Zn.výrobce: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni

Objednáno

Výrobce: SEMIC EU