Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DAMI660N60

N-channel MOSFET 60V 500A SOT-227

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DAMI660N60 Daco Semiconductor
DAMI660N60 Daco Semiconductor
DAMI660N60 Daco Semiconductor
ks
ID Code:189831
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 1 793,2200 Kč
Cena bez DPH : 1 482,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DAMI660N60
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 482,0000 Kč1 793,2200 Kč
3 + 1 404,0000 Kč1 698,8400 Kč
4 + 1 365,0000 Kč1 651,6500 Kč
7 + 1 326,0000 Kč1 604,4600 Kč


Základní informace:

Značení výrobceDAMI660N60 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):13 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 60 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)660 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)660 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)0.95 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)1500 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)[mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)530 [ns]
tr (Turn-on / rise time)330 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)420 [ns]
Qg (Total Gate Charge)980 [nC]
Cin (Input Capacitance)67600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.08 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Související zboží - DAMI660N60

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,000017,000016,000014,0000
Celkem skladem: 3202
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? DAMI660N60 Daco Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace