Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DAMIA1100N100

N-channel single MOSFET 100V / 820A / Rdson 0,50 mOhm

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DAMIA1100N100 Daco Semiconductor
DAMIA1100N100 Daco Semiconductor
ks
ID Code:186558
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 2 831,400 Kč
Cena bez DPH : 2 340,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:6 ks
Značení výrobce: DAMIA1100N100
Centrální sklad Zdice: 6 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 2 340,000 Kč2 831,400 Kč
4 + 2 210,000 Kč2 674,100 Kč
7 + 2 145,000 Kč2 595,450 Kč
13 + 2 080,000 Kč2 516,800 Kč
N-channel single MOSFET 100V / 820A / Rdson 0,50 mOhm

Základní informace:

Značení výrobceDAMIA1100N100 
KategorieFET N-Channel 
Typ součástky:N_FET 1x single 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227H 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:95.3 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):13 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1100 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)1100 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)880 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)0.8 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)158 [ns]
tr (Turn-on / rise time)210 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)176 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2710 [nC]
Cin (Input Capacitance)144000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.07 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Počet PIN (vývodů)
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:178500 - VMO1200-01F (IXY) 
Podobné výrobky 1:IXFN420N10T 
Podobné výrobky 2:IXFN520N075T2 

Potřebujete poradit ? DAMIA1100N100 Daco Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace