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DFM 800XXM45-TS001

4500V 2x800A/Tc65°C dvojice AlSiC ,Dual, AlSic, Uisol=10,2kV

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DFM 800XXM45-TS001 Dynex Semiconductor
DFM 800XXM45-TS001 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:171539
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 815,847461 €
Preis ohne MwSt. : 674,254100 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DFM800XXM45-TS001
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4500V 2x800A/Tc65°C dvojice AlSiC ,Dual, AlSic, Uisol=10,2kV

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDFM800XXM45-TS001 
Art der Komponente:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Module 
Konfiguration:single (2D) 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-X 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1018.6 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

If (AV) per pkg.1600 [A]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)60000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)300000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)4160 [W]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:130x140x48 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.024 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 130 [mm]
W - Breite 140 [mm]
H - Höhe 48 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:5SLD 0650J450300 
Alternative Produkte 2:MDM800H45E2 
Alternative Produkte 3:RM800DG-90F 
Alternative Produkte 4:RM900DB-90S 

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