Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DFM1200AXM45-TS001

Diodový modul s rychlým zotavením 4500V/1200A,Trojice,Uisol=10,2kV

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DFM1200AXM45-TS001 Dynex Semiconductor
DFM1200AXM45-TS001 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:171544
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 36 989,700 Kč
Cena bez DPH : 30 570,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:8 ks
Značení výrobce: DFM1200AXM45-TS010
Centrální sklad Zdice: 8 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 30 570,000 Kč36 989,700 Kč
3 + 29 806,000 Kč36 065,260 Kč
6 + 28 277,000 Kč34 215,170 Kč
12 + 25 984,000 Kč31 440,640 Kč
Diodový modul s rychlým zotavením 4500V/1200A,Trojice,Uisol=10,2kV

Základní informace:

Značení výrobceDFM1200AXM45-TS010 
KategorieDiode Fast Module 
Typ součástky:Diode Fast 
Konfigurace:single (3D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
Mezera (podle čísla výrobku) 999.99 [mm]
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - A 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:2010.2 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

If (AV) per pkg.2400 [A]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)90000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)460 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)6250 [W]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.016 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 140 [mm]
L - Délka 190 [mm]
H - Výška 48 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)190x140x48 [mm]

Potřebujete poradit ? DFM1200AXM45-TS001 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace